TSM60NC980CH C5G
Hersteller Produktnummer:

TSM60NC980CH C5G

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM60NC980CH C5G-DG

Beschreibung:

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventar:

13125 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM60NC980CH C5G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
980mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
TSM60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TSM60NC980CH C5G
HTML-Datenblatt
TSM60NC980CH C5G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
15,000
Andere Namen
1801-TSM60NC980CHC5G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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